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【公司动态】英特尔、广东光大、TCL华星、小米

发表于: 2021-09-30 

  原标题:【公司动态】英特尔、广东光大、TCL华星、小米、冠捷科技、楚天高速最新动态汇总

  中国半导体照明网:近日,英特尔、广东光大、TCL华星、小米、冠捷科技、楚天高速最新动态详情如下:

  英特尔:CEO拟与三星等公司代表讨论芯片短缺问题,亚利桑那州新工厂将于9月24日动工

  据知情人士透露,英特尔首席执行官(CEO)帕特·盖尔辛格(Pat Gelsinger)计划与三星电子、通用汽车和福特等公司的代表一道出席美国白宫举行的线上会议,讨论全球芯片短缺问题。

  此外,此次会议将还将探讨新冠疫情对芯片供应的影响以及如何更好地协调芯片生产商和消费者之间的问题。

  而从英特尔官网公布的消息来看,他们在亚利桑那州的两座新芯片工厂,将在9月24日正式开工建设。

  帕特·基辛格是在3月23日宣布他们将在亚利桑那州新建两座芯片工厂的,在9月24日正式动工,距离宣布有半年的时间。

  英特尔在亚利桑那州即将动工的这两座新芯片工厂,将建在英特尔位于亚利桑那州钱德勒的Ocotillo园区。建成之后,他们这一园区的规模就将会有明显扩大。

  英特尔在亚利桑那州建设的这两座新工厂,在建成之后,就将为英特尔的产品提供有力的产能支撑,同时也有助于他们为其他厂商提供代工产能。在3月23日,帕特·基辛格也宣布他们将成立代工服务部门,为其他厂商代工芯片。

  广东光大集团Mini/Micro LED相关项目明年初开工,预计总投资100亿元

  近日,东莞市发展和改革局发布了《关于增补2021年第三批市重大项目的通知》。其中,广东光大集团的Mini/Micro LED相关项目被纳入榜单之中。

  通知显示,广东光大第三代半导体科研制造中心1区和广东光大第三代半导体科研制造中心2区项目将围绕Mini/Micro LED技术展开,预计总投资100亿元,均将于2022年1月开工,2024年11月投产。

  根据通知,1区项目预计总投资44亿元,占地面积135,203平方米,建筑面积283,928平方米;主要内容为精密半导体设备制造、氮化镓衬底生产线、氮化镓器件生产线、蓝绿Mini/Micro LED外延芯片生产线和配套特气厂务设施;建成后预计生产2-4英寸氮化镓衬底、2-6英寸GaN on GaN/Si器件、4英寸蓝绿Mini LED外延芯片。

  2区项目预计总投资56亿元,占地面积125,309平方米,建筑面积375,927平方米;主要内容为Mini LED COB显示模组生产线厂房、研究院、中试中心、办公楼和宿舍生活配套设施;预计年产P0.7-1.5 COB显示模组约45万㎡/年。

  TCL华星与小米共建联合实验室即将正式落成,针对半导体显示技术开展预研合作

  近日,TCL华星与小米正式签署了共建联合实验室的合作协议,并将于9月29日在武汉举行实验室揭牌仪式。联合实验室将针对半导体显示技术开展预研合作,共享技术成果。

  中国半导体照明网:近日,英特尔、广东光大、TCL华星、小米、冠捷科技、楚天高速最新动态详情如下:

  英特尔:CEO拟与三星等公司代表讨论芯片短缺问题,亚利桑那州新工厂将于9月24日动工

  据知情人士透露,英特尔首席执行官(CEO)帕特·盖尔辛格(Pat Gelsinger)计划与三星电子、通用汽车和福特等公司的代表一道出席美国白宫举行的线上会议,讨论全球芯片短缺问题。

  此外,此次会议将还将探讨新冠疫情对芯片供应的影响以及如何更好地协调芯片生产商和消费者之间的问题。

  而从英特尔官网公布的消息来看,他们在亚利桑那州的两座新芯片工厂,将在9月24日正式开工建设。

  帕特·基辛格是在3月23日宣布他们将在亚利桑那州新建两座芯片工厂的,在9月24日正式动工,距离宣布有半年的时间。

  英特尔在亚利桑那州即将动工的这两座新芯片工厂,将建在英特尔位于亚利桑那州钱德勒的Ocotillo园区。建成之后,他们这一园区的规模就将会有明显扩大。

  英特尔在亚利桑那州建设的这两座新工厂,在建成之后,就将为英特尔的产品提供有力的产能支撑,同时也有助于他们为其他厂商提供代工产能。在3月23日,帕特·基辛格也宣布他们将成立代工服务部门,为其他厂商代工芯片。

  广东光大集团Mini/Micro LED相关项目明年初开工,预计总投资100亿元

  近日,东莞市发展和改革局发布了《关于增补2021年第三批市重大项目的通知》。其中,广东光大集团的Mini/Micro LED相关项目被纳入榜单之中。

  通知显示,广东光大第三代半导体科研制造中心1区和广东光大第三代半导体科研制造中心2区项目将围绕Mini/Micro LED技术展开,预计总投资100亿元,均将于2022年1月开工,2024年11月投产。

  根据通知,1区项目预计总投资44亿元,占地面积135,203平方米,建筑面积283,928平方米;主要内容为精密半导体设备制造、氮化镓衬底生产线、氮化镓器件生产线、蓝绿Mini/Micro LED外延芯片生产线和配套特气厂务设施;建成后预计生产2-4英寸氮化镓衬底、2-6英寸GaN on GaN/Si器件、4英寸蓝绿Mini LED外延芯片。

  2区项目预计总投资56亿元,占地面积125,309平方米,建筑面积375,927平方米;主要内容为Mini LED COB显示模组生产线厂房、研究院、中试中心、办公楼和宿舍生活配套设施;预计年产P0.7-1.5 COB显示模组约45万㎡/年。

  TCL华星与小米共建联合实验室即将正式落成,针对半导体显示技术开展预研合作

  近日,TCL华星与小米正式签署了共建联合实验室的合作协议,并将于9月29日在武汉举行实验室揭牌仪式。联合实验室将针对半导体显示技术开展预研合作,共享技术成果。返回搜狐,查看更多献花送先人 持柳寄哀思 本市公祭生态葬逝者